scia Trim 200
scia Trim 200用于晶圆或光学元件的高精度表面离子束修整或抛光，而不受薄膜和材料的限制。该系统专为批量生产而设计，具有满足产能和维护的优化布局，可以配有能容纳标准晶圆尺寸的半导体载具机器手。此外，组合布局可选2个工作仓和2个载具loadlock以提高产能。
常规属性
- 采用聚焦离子束轰击样品表面，通过控制离子束焦斑在局部区域的驻留时间，来实现表面材料的定量去除，从而实现抛光或表面修整。
- 显著提升产能
- 薄膜的厚度均匀性可以修正到原子水平，至0.1nm
- 消除了边缘效应
- 具有ZBE功能，可进行亚纳米级去除
- 对样品材料没有限制
- 产能与维护在设计时就进行了优化，以最大程度降低生产成本
- 可以加工带有光刻胶的晶圆，具有良好的样品冷却配置
* ZBE：zero base etching
系统性能
scia Trim 200 | |
样品尺寸 | ф200mm |
样品台 | 氦冷却背板对于晶圆为标准静电夹具而无边缘遮拦 |
轴向直线运动特性 | 最大线速度0.5m/s, 最大线加速度15m/S2 |
| 离子源 | ★ 37mm 圆形射频源RF37-i，束腰7--15mm （FWHM） ★ 80mm 圆形射频源RF80-i，束腰12-- 20mm （FWHM） |
中和器 | 热灯丝中和器N-Fil 或 射频等离子桥中和器N-RF |
| 参考去除率 | SiO2： 6 x 10-3mm3/s （RF37-i) 11 x 10-3 mm3/s （RF80-i) |
加工后表面精度 | < 0.5nm rms （薄膜修整厚度不均匀性，与初始状态有关） |
参考产能 | 15 Wafer/h (50 nm Si on 150 mm wafer) |
基础真空度 | 1x10-6 mbar |
软件界面 | SECS II / GEM, OPC |
标准配置 | 1个工作仓 |
配置选项
- 选配单样品loadlock或晶圆载具
- 可选组合布局为2个工作仓和晶圆载具
