scia Mill 200
scia Mill 200适用于在多种材料的复杂多层膜上进行微结构刻蚀，最大样品尺寸可达直径200mm。该系统对活性气体相容，能够进行反应蚀刻工艺以提高刻蚀选择比和刻蚀速率。scia Mill 200采用灵活的模块化设计，可以有单样品的适合研发的版本，也可以进行组合式布局最多至3个工作仓和2个晶圆载具load-lock，以适合批量生产。
常规属性
- 采用圆形离子源对全部样品区域在惰性或反应气体环境下进行刻蚀
- 可进行离子束刻蚀（IBE、IBM）、反应离子束刻蚀（RIBE）和化学辅助离子束刻蚀（CAIBE）
- 刻蚀角度调整：样品台可以旋转且倾斜可调
- 离子束具有极好准直性，垂直入射刻蚀时，无需修正挡板亦可获得极好的均匀性
- 通过反应气体可以提高刻蚀速率，并控制刻蚀选择性
- 通过基于SIMS（二次离子质谱）或光学的截止点探测技术控制工艺
- 可以刻蚀光刻胶晶圆，具有良好的样品冷却配置
- 在不同的组合式布局中可以进行全自动载具操作。
- 可以适合各种倾斜光栅的刻蚀研发与生产
系统性能
scia Mill 200 | |
样品尺寸 | ф200mm |
样品夹具 | 水冷，氦背板冷却 转速：5 - 20 rpm 倾斜：0° - 175° 步长：0.1° |
离子源 | ф350mm圆形射频源RF350-e |
中和器 | RF等离子体桥中和器N-RF |
参考刻蚀速率 | Pt: 35 nm/min Cu: 44 nm/min W: 17 nm/min SiO2: 20nm/min |
刻蚀均匀性 | ≦ 1% (σ/mean) |
产能 | 12 Wafer/h (100 nm SiO2 on 200 mm wafer) |
基础真空度 | 5 x 10-7 mbar |
尺寸（不含电柜与真空泵） | 3.2 m x 2.5 m x 2.5 m （3个工作仓 + 晶圆载具） |
软件界面 | SECS II / GEM, OPC |
标准配置 | 1 个工作仓 |
配置选项
- 单片 Load-Lock（可选）， OES 或SIMS截止点探测器（可选）
-单片 Load-Lock（可选）；
-组合式布局可至3个工作仓和晶圆载具；
-OES 或SIMS截止点探测器（可选）
